型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS24779411+￥54.302210+￥51.1865100+￥48.8720250+￥48.5159500+￥48.15981000+￥47.75922500+￥47.40325000+￥47.1806 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 24716621+￥106.743010+￥102.1020100+￥101.2666250+￥100.6169500+￥99.59591000+￥99.13182500+￥98.48205000+￥97.9251 -
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品类: MOS管描述: TO-247 N-CH 100V 230A24141+￥48.958610+￥46.1495100+￥44.0627250+￥43.7417500+￥43.42071000+￥43.05952500+￥42.73855000+￥42.5378 -
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品类: MOS管描述: SOT-227B N-CH 1100V 36A58641+￥403.661510+￥393.131250+￥385.0580100+￥382.2499200+￥380.1438500+￥377.33581000+￥375.58072000+￥373.8257 -
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品类: MOS管描述: TO-247AD N-CH 900V 13A16991+￥89.550510+￥85.6570100+￥84.9562250+￥84.4111500+￥83.55451000+￥83.16522500+￥82.62015000+￥82.1529 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备30801+￥69.770510+￥66.7370100+￥66.1910250+￥65.7663500+￥65.09891000+￥64.79562500+￥64.37095000+￥64.0069 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFP150MPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.036 ohm, 10 V, 4 V 新42025+￥3.037525+￥2.812550+￥2.6550100+￥2.5875500+￥2.54252500+￥2.48635000+￥2.463810000+￥2.4300 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 160A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube861510+￥9.2280100+￥8.7666500+￥8.45901000+￥8.44362000+￥8.38215000+￥8.30527500+￥8.243710000+￥8.2129 -
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP26231+￥60.444010+￥57.8160100+￥57.3430250+￥56.9750500+￥56.39691000+￥56.13412500+￥55.76625000+￥55.4508 -
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品类: MOS管描述: VISHAY IRF9640PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V27575+￥2.943025+￥2.725050+￥2.5724100+￥2.5070500+￥2.46342500+￥2.40895000+￥2.387110000+￥2.3544 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装15915+￥13.993250+￥13.3952200+￥13.0603500+￥12.97661000+￥12.89292500+￥12.79725000+￥12.73747500+￥12.6776 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。67781+￥43.920010+￥41.4000100+￥39.5280250+￥39.2400500+￥38.95201000+￥38.62802500+￥38.34005000+￥38.1600 -
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品类: MOS管描述: 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET147710+￥10.7160100+￥10.1802500+￥9.82301000+￥9.80512000+￥9.73375000+￥9.64447500+￥9.573010000+￥9.5372 -
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品类: MOS管描述: Mosfet 2n-Ch 150V 65A I4-Pac-576291+￥249.998510+￥243.476850+￥238.4768100+￥236.7377200+￥235.4334500+￥233.69431000+￥232.60732000+￥231.5204 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V13655+￥4.482025+￥4.150050+￥3.9176100+￥3.8180500+￥3.75162500+￥3.66865000+￥3.635410000+￥3.5856 -
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 9.5A638310+￥1.242050+￥1.1776100+￥1.1316300+￥1.1040500+￥1.07641000+￥1.04882500+￥1.00745000+￥0.9982 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V31005+￥5.454025+￥5.050050+￥4.7672100+￥4.6460500+￥4.56522500+￥4.46425000+￥4.423810000+￥4.3632 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L 场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-368991+￥41.785010+￥39.3875100+￥37.6065250+￥37.3325500+￥37.05851000+￥36.75032500+￥36.47635000+￥36.3050 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF13N50FT, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装80585+￥15.198350+￥14.5488200+￥14.1851500+￥14.09421000+￥14.00322500+￥13.89935000+￥13.83447500+￥13.7694 -
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品类: MOS管描述: FDP8447L 系列 40 V 8.7 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-220-3418710+￥7.8120100+￥7.4214500+￥7.16101000+￥7.14802000+￥7.09595000+￥7.03087500+￥6.978710000+￥6.9527 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFZ46NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V50575+￥2.065525+￥1.912550+￥1.8054100+￥1.7595500+￥1.72892500+￥1.69075000+￥1.675410000+￥1.6524 -
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品类: MOS管描述: SOIC N-CH 30V 13A91555+￥6.588025+￥6.100050+￥5.7584100+￥5.6120500+￥5.51442500+￥5.39245000+￥5.343610000+￥5.2704 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。82415+￥6.426025+￥5.950050+￥5.6168100+￥5.4740500+￥5.37882500+￥5.25985000+￥5.212210000+￥5.1408 -
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品类: MOS管描述: IXTP 系列 单通道 N 沟道 100 V 18 mOhm 176 W 功率 Mosfet - TO-22011265+￥2.997025+￥2.775050+￥2.6196100+￥2.5530500+￥2.50862500+￥2.45315000+￥2.430910000+￥2.3976 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24791011+￥104.339510+￥99.8030100+￥98.9864250+￥98.3513500+￥97.35331000+￥96.89962500+￥96.26455000+￥95.7202 -
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品类: MOS管描述: N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-24766231+￥106.501510+￥101.8710100+￥101.0375250+￥100.3892500+￥99.37051000+￥98.90752500+￥98.25925000+￥97.7036 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin(3+Tab) TO-22012775+￥5.116525+￥4.737550+￥4.4722100+￥4.3585500+￥4.28272500+￥4.18805000+￥4.150110000+￥4.0932
